中國臺灣《聯(lián)合報》稱(chēng)：經(jīng)多方評比后，臺積電最終決定將最先進(jìn)的 1nm 制程代工廠(chǎng)選址定在嘉義科學(xué)園區，總投資額超萬(wàn)億新臺幣(備注：當前約 2290 億元人民幣)。

　　對于這一傳聞，臺積電表示，選擇設廠(chǎng)地點(diǎn)有諸多考量因素，臺積電以中國臺灣地區作為主要基地，不排除任何可能性，也持續與管理局合作評估合適的半導體建廠(chǎng)用地。

　　消息人士透露，臺積電 1nm 制程將落腳嘉義科學(xué)園區，臺積電已向相關(guān)管理局提出 100 公頃用地需求，其中 40 公頃將先設立先進(jìn)封裝廠(chǎng)，后續的 60 公頃將作為 1nm 建廠(chǎng)用地。業(yè)界估，臺積電 1nm 總投資額將逾萬(wàn)億新臺幣。

　　在上個(gè)月舉行的 IEDM 2023 會(huì )議上，臺積電制定了提供包含 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝路線(xiàn)，這一計劃與英特爾去年透露的規劃類(lèi)似。

　　為了實(shí)現這一目標，該公司重申正在致力于 2nm 級 N2 和 N2P 生產(chǎn)節點(diǎn)，以及 1.4nm 級 A14 和 1nm 級 A10 制造工藝，預計將于 2030 年完成。

　　此外，臺積電預計封裝技術(shù)(CoWoS、InFO、SoIC 等)將不斷取得進(jìn)步，使其能夠在 2030 年左右構建封裝超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的大規模多芯片解決方案。

　　據IT之家此前報道，臺積電在會(huì )議上還透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。

　　前段時(shí)間還有消息稱(chēng)，臺積電計劃正在新竹科學(xué)園區和高雄楠梓園區內新建 5 座晶圓廠(chǎng)，其中第一座目前已經(jīng)破土動(dòng)工，計劃 2025 年 1 月前搬入首部機臺;而臺積電園區在該園區的第 2 座晶圓廠(chǎng)有望近期動(dòng)工。

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