IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨詢(xún)于 7 月 22 日發(fā)布市場(chǎng)研報，透露蘋(píng)果公司正醞釀使用 QLC NAND 閃存，最早 2026 年用于 iPhone 產(chǎn)品中，讓其存儲上限達到 2TB。

　　

 

　　QLC 和 TLC

　　TLC 的全稱(chēng)是 Triple Level Cell(三層單元)，進(jìn)一步增加存儲密度，每個(gè)存儲單元存儲三位信息。

　　TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成為消費電子產(chǎn)品和主流 SSD 的有吸引力選擇。

　　QLC 的全稱(chēng)是 Quad-level cells(四層單元)，每個(gè)單元可儲存 4bit 數據，跟 TLC 相比，QLC 的儲存密度提高了 33%。

　　QLC NAND 通常用于入門(mén)級消費者固態(tài)硬盤(pán)和大容量存儲應用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle(Program Erase Cycle)在 100 到 1000 之間。

　　制造商實(shí)施先進(jìn)的錯誤校正機制、預留配置(OP)和 Wear leveling 以維持可靠性。

　　雖然 QLC NAND 可能不適合寫(xiě)入密集型工作負載，但它為日常使用提供了充足的存儲容量，使固態(tài)硬碟在更廣泛的用戶(hù)范圍內觸手可及。

　　早有曝料蘋(píng)果正推進(jìn) QLC NAND

　　最早曝料信息稱(chēng)蘋(píng)果計劃在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月報道，蘋(píng)果可能會(huì )在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

　　集邦咨詢(xún)預估認為蘋(píng)果公司正在加速推進(jìn) QLC NAND 換代，從而將內置存儲上限提高到 2TB。

　　不過(guò)需要注意的是，雖然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度卻比后者慢;而且單個(gè)單元中存在更多的單元，它們的耐用性較差，這意味著(zhù)它們能處理的寫(xiě)入周期比 TLC 少。

　　迎接大語(yǔ)言模型

　　蘋(píng)果公司還在探索如何使用 NAND 閃存，而不是內存來(lái)存儲大型語(yǔ)言模型(LLMs)，從而能夠在本地運行更多 AI 任務(wù)，因此過(guò)渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表現。