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瞄準蘋(píng)果下代 XR 設備訂單,消息稱(chēng)三星正積極開(kāi)發(fā) LLW DRAM 內存

發(fā)布時(shí)間:2024-07-19 09:25:28來(lái)源:IT之家

  IT之家 7 月 18 日消息,韓媒 ZDNet Korea 報道稱(chēng),三星電子正積極開(kāi)發(fā) LLW DRAM 內存,為蘋(píng)果 Vision Pro 后的下一代頭顯訂單做好準備。

  LLW DRAM 全稱(chēng) Low Latency Wide I/O DRAM,是一種高性能特殊內存,擁有數量眾多的 I/O 引腳,具備高帶寬低延遲低功耗的優(yōu)勢。

  三星電子宣稱(chēng),其 LLW DRAM 內存產(chǎn)品可實(shí)現 128GB/s 的帶寬,同時(shí)能耗僅有 1.2pJ/bit。

  

 

  ▲ 三星半導體展示的 LLW DRAM 內存結構概念

  據IT之家此前報道,與蘋(píng)果 Vision Pro 頭顯上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 內存由 SK 海力士獨家供應,可提供 256GB/s 帶寬。

  該內存單顆容量為 1GB,I/O 引腳數量是傳統內存的八倍。如果以目前 LPDDR5 內存的 64bit 作為基礎,那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 內存位寬可達 512bit。

  ▲ SK 海力士 LLW DRAM 內存結構。圖源 Yole

  韓媒報道提到,蘋(píng)果曾于 2022 年同三星電子就 LLW DRAM 供應進(jìn)行過(guò)洽談,但最終 SK 海力士得到了這份訂單。

  三星電子正積極開(kāi)發(fā) LLW DRAM 內存技術(shù),目前正處于小規模生產(chǎn)階段,目標未來(lái)從 SK 海力士的手中奪取這一細分領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。

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