近日，荷蘭光刻機巨頭 ASML 公司宣布，優(yōu)先向 Intel 公司交付其新型高數值孔徑(High NA EUV)的極紫外光刻機。

　　據悉，每臺新機器的成本超過(guò) 3 億美元，可幫助計算機芯片制造商生產(chǎn)更小、更快的半導體。

　　ASML 官方社交媒體賬號發(fā)布了一張現場(chǎng)照片。圖可以看到，光刻機的一部分被放在一個(gè)保護箱中。箱身綁著(zhù)一圈紅絲帶，正準備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發(fā)貨。

　　"耗時(shí)十年的開(kāi)創(chuàng )性科學(xué)和系統工程值得鞠一躬!我們很高興也很自豪能將我們的第一臺高數值孔徑的極紫外光刻機交付給 Intel。"ASML 公司說(shuō)道。

　　據了解，高數值孔徑的極紫外光刻機組裝起來(lái)比卡車(chē)還大，需要被分裝在 250 個(gè)單獨的板條箱中進(jìn)行運輸，其中包括 13 個(gè)大型集裝箱。

　　據估計，該光刻機將從 2026 年或 2027 年起用于商業(yè)芯片制造。

　　公開(kāi)資料顯示，NA 數值孔徑是光刻機光學(xué)系統的重要指標，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率，以及最高能達到的工藝節點(diǎn)。

　　一般來(lái)說(shuō)，金屬間距縮小到 30nm 以下之后，也就是對應的工藝節點(diǎn)超越 5nm，低數值孔徑光刻機的分辨率就不夠了，只能使用 EUV 雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來(lái)輔助。

　　這樣不但會(huì )大大增加成本，還會(huì )降低良品率。因此，更高數值孔徑成為必需。

　　ASML 9 月份曾宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺高數值孔徑 EUV 光刻機，型號"Twinscan EXE:5000"，可制造 2nm 工藝乃至更先進(jìn)的芯片。

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