三星今日宣布采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是 16Gb 內存模組的兩倍。

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　　三星電子存儲器事業(yè)部?jì)却骈_(kāi)發(fā)組執行副總裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 納米級 32Gb 內存的基礎上，三星可以研發(fā)出實(shí)現 1TB 內存模組的解決方案，這有助于滿(mǎn)足人工智能和大數據時(shí)代對于大容量 DRAM 內存日益增長(cháng)的需求。

　　IT 之家附三星 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品介紹如下：

　　通過(guò)使用最新開(kāi)發(fā)的 32Gb 內存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工藝也能夠生產(chǎn) 128GB 內存模組。與使用 16Gb 內存封裝的 128GB 內存模組相比，其功耗降低了約 10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數據中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。

　　以 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 為基礎，三星計劃繼續擴充大容量?jì)却娈a(chǎn)品陣容，以滿(mǎn)足高性能計算和 IT 行業(yè)持續增長(cháng)的需求。通過(guò)向數據中心，以及采用人工智能和下一代計算等應用的客戶(hù)提供 12 納米級的 32Gb 內存，三星希望鞏固其在下一代內存市場(chǎng)的前沿地位。未來(lái)，該產(chǎn)品還將在三星與其他核心行業(yè)伙伴的長(cháng)期合作中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

　　全新 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 計劃于今年年底開(kāi)始量產(chǎn)。
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