據日經(jīng)報道，日本計劃預算 3500 億日元(約 171.5 億元人民幣或 23.8 億美元)與美國開(kāi)展下一代半導體開(kāi)發(fā)研究合作。

　　最新法案還包括 1 萬(wàn)億日元的預算，將用于電池、永磁體和稀土供應鏈的多元化。日本首相岸田文雄宣布將在包括半導體在內的下一代領(lǐng)域投資 3 萬(wàn)億日元，預計在電池和機器人方面的投資將略低于 1 萬(wàn)億日元。

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　　該聯(lián)合研究中心將于今年年底成立，目標是在 20 年代后半期開(kāi)發(fā)并具備大規模生產(chǎn) 2 納米芯片先進(jìn)半導體的能力。

　　參與的日本公司的名稱(chēng)和其它細節將于本月公布。東京大學(xué)、國立先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所和理研研究所以及美國和歐洲的公司和研究機構將參加。

　　據介紹，這筆支出包含在本財年的二次補充預算法案中，其中還將包括 4500 億日元用于日本先進(jìn)半導體生產(chǎn)中心(如果算上去年追加預算中的 6170 億日元在內，這項工作的支出將超過(guò) 1 萬(wàn)億日元)，以及 3700 億日元用于確保造芯片必不可少的材料。

　　目前日本政府已經(jīng)批準了對臺積電、鎧俠和美國美光科技的補貼，以在日本建立工廠(chǎng)，生產(chǎn)數據中心、人工智能和其它尖端技術(shù)所需的半導體。
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