在今日舉行的財報電話(huà)會(huì )上，臺積電發(fā)布了 2 季度財報。財報顯示第 2 季合并營(yíng)收約達新臺幣 5,341.4 億元(約人民幣 120.5 億元)，稅后凈利潤約新臺幣 2,370.3 億(約人民幣 53.47 億元)。

　　臺積電表示，公司 2022 年銷(xiāo)售額(以美元計算)預計增長(cháng) 30% 左右，并且今年產(chǎn)能不會(huì )受設備供應延遲的影響。不過(guò)，目前客戶(hù)需求仍超過(guò)公司供應能力，今年產(chǎn)能持續吃緊。

　　對于芯片需求前景，臺積電稱(chēng) 2023 年將出現一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于 2008 年。同時(shí)，公司預計客戶(hù)將開(kāi)始減少庫存，但目前高端智能手機庫存不太多。因此對于臺積電而言，2023 年依然是“增長(cháng)之年”。

　　此外，公司 2023 年的增長(cháng)將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計算(HPC)將成為長(cháng)期增長(cháng)的主要引擎。公司目前預計 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。

　　在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺積電重申公司 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻營(yíng)收。值得一提的是，臺積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，會(huì )陸續在未來(lái)兩三年內量產(chǎn)。

　　對于 2nm 芯片(N2)，臺積電重申其將于 2025 年實(shí)現量產(chǎn)。2nm 芯片是臺積電的一個(gè)重大節點(diǎn)，該工藝將會(huì )采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場(chǎng)效應晶體管(FinFET)，這意味著(zhù)臺積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

　　IT之家了解到，臺積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據公司營(yíng)收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據公司營(yíng)收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營(yíng)收繼續提升，但還未超過(guò) 7nm 制程工藝帶來(lái)的營(yíng)收。此外，臺積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營(yíng)收總占比達到 51%，較前季的 50% 繼續擴大。
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