據 BusinessKorea 報道，三星電子將于 6 月 30 日開(kāi)始批量生產(chǎn)基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的 3 納米半導體。

　　報道稱(chēng)，三星電子將于 6 月 30 日正式宣布大規模生產(chǎn)基于 GAA 的 3 納米半導體。GAA 晶體管結構優(yōu)于目前的 FinFET 結構，因為它可以減少芯片尺寸和功耗。

　　如果消息屬實(shí)的話(huà)，那么三星電子將搶先臺積電和英特爾量產(chǎn) 3 納米芯片，后兩家公司分別計劃在今年下半年和明年下半年開(kāi)始大規模生產(chǎn) 3 納米芯片。

　　今年早些時(shí)候，一些行業(yè)觀(guān)察家提出擔心，由于產(chǎn)量低的問(wèn)題，三星電子可能推遲 3 納米半導體的大規模生產(chǎn)。然而，這些擔憂(yōu)被證明是毫無(wú)根據的。

　　IT之家了解到，在競爭激烈的 3nm 制程工藝方面，三星電子和臺積電的技術(shù)路線(xiàn)并不相同，三星電子率先采用全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管，臺積電則是繼續采用鰭式場(chǎng)效應晶體管(FinFET)架構。三星電子此前曾表示，采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的 3nm 制程工藝，同當前的鰭式場(chǎng)效應晶體管架構相比，性能將提升 30%，能耗降低 50%，邏輯面積效率提升超過(guò) 45%。
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