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據DIGITIMES報道 三星電子的3nm GAA工藝良率仍遠遠落后于其目標

發(fā)布時(shí)間：2022-04-19 09:59:18來(lái)源：愛(ài)集微

　　據 DIGITIMES 報道，三星電子的 3nm GAA 工藝良率仍遠遠落后于其目標。根據一份報道，三星正在努力提高其 3nm GAA 工藝良率，該工藝良率剛剛達到 10% 至 20% 之間。三星 4nm 工藝制造的良率也不盡如人意，僅為 30%-35%。

　　報道稱(chēng)，三星計劃在 2023 年引入第二代 3 納米工藝（3GAP），屆時(shí)或將開(kāi)始積極為代工客戶(hù)服務(wù)。
　　市場(chǎng)消息人士認為，三星第一代 3nm GAA 工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶(hù)采用。但該消息人士稱(chēng)，三星的第二代 3nm 工藝將為外部客戶(hù)的芯片設計做好準備，預計明年開(kāi)始量產(chǎn)。
　　
　　該消息人士指出，臺積電在轉向 GAA 晶體管技術(shù)時(shí)是否會(huì )面臨良率問(wèn)題還有待觀(guān)察。臺積電極有可能擁有基于 GAA 的 2nm，目標是在 2025 年投產(chǎn)。
　　
　　據稱(chēng)，三星電子規劃今年實(shí)現 3 納米制程芯片量產(chǎn)，不過(guò)業(yè)內傳言當前工藝（3GAE）的試產(chǎn)良率不盡如人意，僅達到約兩成，低良率帶來(lái)的高成本，使三星在 3 納米工藝量產(chǎn)初期可能僅用于自有產(chǎn)品生產(chǎn)。
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