據 Tomshardware 報道，英特爾去年概述 IDM 2.0 戰略時(shí)表示，為了在美國和歐洲建立具有競爭力的半導體制造設施，其將需要政府補貼大約三分之一的投資。

　　如今，憑借在美國和歐盟的最新晶圓廠(chǎng)，英特爾已經(jīng)獲得了當地和聯(lián)邦政府的大量激勵。

　　報道稱(chēng)，英特爾打算在俄亥俄州生產(chǎn)基地的兩個(gè)晶圓廠(chǎng)投資約 200 億美元，第一個(gè)晶圓廠(chǎng)將于 2025 年上線(xiàn)。當該基地完全建成后可以容納多達八個(gè)晶圓廠(chǎng)，并將花費約 1000 億美元。

　　該基地將是俄亥俄州歷史上最大的經(jīng)濟發(fā)展項目。為了獲得這一項目，俄亥俄州需要向英特爾提供約 21 億美元的各種激勵。此外，作為芯片法案的一部分，英特爾預計將從聯(lián)邦政府獲得資金。

　　總體而言，英特爾 200 億美元的投資中將有較大一部分來(lái)自政府財政。

　　但是，與英特爾在馬格德堡附近投資 187 億美元的晶圓廠(chǎng)項目從德國獲得的補貼相比，這一數字顯得微不足道。據彭博社援引知情官員的話(huà)稱(chēng)，該公司獲得了約 55 億美元的政府補助 。而 55 億美元約占該項目成本的 29.4%。
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